MOSFET SiC a canale N 1700 V/40 mΩ/67 A DCC040M170G2 TO-247-3

MOSFET SiC a canale N da 1700 V/40 mΩ/67 A 

1 Descrizione 

Questa famiglia di prodotti offre prestazioni all'avanguardia. È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità. 

2 Caratteristiche 

• Maggiore efficienza del sistema

• Requisiti di raffreddamento ridotti

• Temperatura operativa 175℃

• Maggiore densità di potenza

• Maggiore frequenza di commutazione del sistema

3 applicazioni

• Azionamenti a motore

• Alimentatori

• Convertitori CC/CC ad alta tensione

• Alimentatori a commutazione

• Applicazioni di potenza pulsata

VBRM	RDS(acceso) (TIPO)	ID
1700 V	40 mΩ	67A