MOSFET SiC canal N 1 700 V/40 mΩ/67 A DCC040M170G2 TO-247-3

MOSFET SiC canal N 1 700 V/40 mΩ/67 A 

1 Descriptif 

Cette famille de produits offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis. 

2 Caractéristiques 

• Efficacité du système supérieure

• Besoins de refroidissement réduits

• Température de fonctionnement de 175 ℃

• Densité de puissance accrue

• Augmentation de la fréquence de commutation du système

3 candidatures

• Entraînements de moteur

• Alimentations

• Convertisseurs DC/DC haute tension

• Alimentations à découpage

• Applications de puissance pulsée

VBRM	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
1700V	40 mΩ	67A