MOSFET de SiC de canal N DCC040M170G2 TO-247-3 de 1700 V/40 mΩ/67 A

MOSFET de SiC de canal N de 1700 V/40 mΩ/67 A 

1 Descripción 

Esta familia de productos ofrece un rendimiento de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 

2 características 

• Mayor eficiencia del sistema

• Requisitos de refrigeración reducidos

• Temperatura de funcionamiento de 175 ℃

• Mayor densidad de energía

• Mayor frecuencia de conmutación del sistema

3 aplicaciones

• Accionamientos por motor

• Fuentes de alimentación

• Convertidores CC/CC de alto voltaje

• Fuentes de alimentación de modo conmutado

• Aplicaciones de energía pulsada

VBM	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
1700V	40mΩ	67A