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1700 V/40 mΩ/67 A N-Kanal-SiC-MOSFET DCC040M170G2 TO-247-3

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind.
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1700 V/40 mΩ/67 A N-Kanal-SiC-MOSFET 


1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 


2 Funktionen 

• Höhere Systemeffizienz

• Reduzierter Kühlbedarf

• 175℃ Betriebstemperatur

• Erhöhte Leistungsdichte

• Erhöhte Systemschalthäufigkeit


3 Anwendungen

• Motorantriebe

• Netzteile

• Hochspannungs-DC/DC-Wandler

• Schaltnetzteile

• Anwendungen mit gepulster Leistung


VBRM RDS(ein) (TYP) AUSWEIS
1700V 40mΩ 67A


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SiC-Leistungs-MOSFET
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