MOSFET SiC cu canal N 1700V/40mΩ/67A DCC040M170G2 TO-247-3

MOSFET SiC cu canal N 1700V/40mΩ/67A 

1 Descriere 

Această familie de produse oferă performanțe de ultimă generație. Este proiectat pentru aplicații de înaltă frecvență în care sunt necesare eficiență ridicată și fiabilitate ridicată. 

2 Caracteristici 

• Eficiență mai mare a sistemului

• Cerințe de răcire reduse

• Temperatura de operare 175℃

• Densitate de putere crescută

• Frecvență de comutare a sistemului crescută

3 Aplicații

• Acționări cu motor

• Surse de alimentare

• Convertoare DC/DC de înaltă tensiune

• Surse de alimentare cu comutare

• Aplicații de putere pulsată

VBRM	RDS(activat) (TYP)	ID
1700V	40mΩ	67A