未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
120A 1200V N-Channel SIC Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200V 120a DCC016M120G2 & DCCF016M120G2_DATASHEET_V1.0.pdf
30A 300V Fast Recovery Diode Mur3030CT TO-220-2L Mur3030CT TO-220-2L 300V 30a 英文版 Mur3030CT 技术规格书 .pdf
180a 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180a Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+Datasheet+Rev.1.0.pdf
30A 1200V Fast Recovery Diode Mur30120 TO-247-2L Mur30120 TO-247-2L 1200V 30a 英文版 Mur30120-247-2L 技术规格书 Rev1.0.pdf
Rychlá zotavení dioda 40a 600V Mur40FU60NCT TO-3pn Mur40FU60NCT To-3pn 600V 40a 英文版 Mur40FU60NCT-XAM 技术规格书 .pdf
4a 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4a 英文版 B4N60 技术规格书 .pdf
Rychlé zotavení diody 80a 400V mur80fu40dct to-3pn Mur80FU40DCT To-3pn 400V 80a 英文版 Mur80FU40DCT 3PN 技术规格书 .pdf
2A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2a 英文版 B2N65 技术规格书 .pdf
7A 700V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7a 英文版 D7n70 技术规格书 .pdf
5A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650V 5a 英文版 B5N65 技术规格书 max.pdf
4a 800V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D4N80 TO-252B D4N80 TO-252B 800V 4a 英文版 D4n80 技术规格书 .pdf
40a 400V Fast Recovery Diode Mur40FU40NCT TO-3pn Mur40FU40NCT To-3pn 400V 40a 英文版 Mur40FU40NCT 技术规格书 Rev1.0.pdf
16A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F16N65 F16N65 TO-220F 650V 16a 英文版 F16N65 技术规格书 .pdf
8A 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8a F8N65 技术规格书 .pdf
20A 45V Low VF Schottky Barier Diode MBR20R45 TO-252B MBR20R45 TO-252B 45v 20a 英文版 MBR20R45 技术规格书 252.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4a 英文版 B4N80 技术规格书 .pdf
50A 200V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50a Specifikace zařízení F50N20 (1) .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700V 10a 英文版 D10N70 技术规格书 Rev1.0.pdf
80a 400V Fast Recovery Diode Mur80G40NCT Mur80G40NCT To-3pn 400V 80a 英文版 Mur80G40NCT 技术规格书 Rev.1.0.pdf
Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40a Zařízení DH100P40D Specification.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com