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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 220A, 40V, DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40V 220A Appareil DTE025N04NA&DTG025N04NA Spécification Rev.1.0.pdf
8N65/F8N65
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 170A, 30V, DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal P 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12A Spécifications de l'appareil DH500P06R Rev.1.0.pdf
Diode SchottkyBarrier 40A 200V MBR40200CT TO-3PN MBR40200CT TO-3PN 200V 40A Fichier MBR40200CT pour 3PN.pdf
F8N70
Diode de récupération rapide 30A 600V MUR3060 TO-220-2L MUR3060 TO-220C-2L 600V 30A Fichier MUR3060.pdf
Diode de récupération rapide 80A 300V MUR80FU30DCT TO-3PN MUR80FU30DCT TO-3PN 300V 80A Description du produit MUR80FU30DCT.pdf
10N65/F10N65/I10N65
100 V/1,5 mΩ/240 A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 40A 1200V DGC40H120M2 TO-247 DGC40H120M2 TO-247 1200V 40A DGC40H120M2 - fiche technique.pdf
100 V/2,9 mΩ/190 A N-MOSFET DSU035N10N3A PÉAGE DSU035N10N3A SONNER 100V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 85A 80V DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
DGF25F65M
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 100A 68V, DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A Donghai_DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700V 10A Fichier D10N70技术规格书REV1.0.pdf
12N65/F12N65
DHD10N65
Diode de récupération rapide 15A 600V MUR1560 TO-220-2L MUR1560 TO-220-2L 600V 15A Lire la suiteMUR1560技术规格书(1).pdf
Diode de récupération rapide 10A 400V MUR1040CT TO-220C MUR1040CT TO-220C 400V 10A Description du produit MUR1040CT.pdf

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