MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 10A 700V D10N70 TO-252B

MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 10A 700V

1 Descriptif

Ces vdmosfets améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

● Commutation rapide

● Capacité améliorée ESD

● Faible résistance (Rdson≤1,1Ω) 

● Faible charge de grille (type : 34 nC) 

● Faibles capacités de transfert inverse (type : 6,2 pF) 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 

3 candidatures 

● Utilisé dans divs circuits de commutation de puissance pour la miniat8a3021c30=Informatique (RMS) 

● Circuit de commutation d'alimentation du ballast électronique et de l'adaptateur

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
700V	0,96Ω	10A