Upatikanaji: | |
---|---|
Wingi: | |
D10N70
Wxdh
D10N70
To-252b
700V
10a
N-Channel Uimarishaji wa Njia ya Nguvu MOSFET 10A 700V
Maelezo 1
VDMOSFETs hizi zilizoboreshwa za N-channel, hupatikana na teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza upotezaji wa uzalishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya avalanche. Ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS.
Vipengele 2
● Kubadilisha haraka
● Uwezo wa ESD ulioboreshwa
● Chini ya upinzani (rdson≤1.1Ω)
● Malipo ya lango la chini (TYP: 34NC)
● Uwezo wa chini wa uhamishaji wa nyuma (typ: 6.2pf)
● Mtihani wa nishati moja wa Pulse Avalanche
● Mtihani wa 100% ΔVDS
Maombi 3
● Inatumika katika mzunguko tofauti wa kubadili nguvu kwa mfumo wa miniaturization na ufanisi mkubwa.
● Mzunguko wa kubadili nguvu ya ballast ya elektroni na adapta
VDS | RDS (on) (typ) | Id |
700V | 0.96Ω | 10a |
N-Channel Uimarishaji wa Njia ya Nguvu MOSFET 10A 700V
Maelezo 1
VDMOSFETs hizi zilizoboreshwa za N-channel, hupatikana na teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza upotezaji wa uzalishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya avalanche. Ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS.
Vipengele 2
● Kubadilisha haraka
● Uwezo wa ESD ulioboreshwa
● Chini ya upinzani (rdson≤1.1Ω)
● Malipo ya lango la chini (TYP: 34NC)
● Uwezo wa chini wa uhamishaji wa nyuma (typ: 6.2pf)
● Mtihani wa nishati moja wa Pulse Avalanche
● Mtihani wa 100% ΔVDS
Maombi 3
● Inatumika katika mzunguko tofauti wa kubadili nguvu kwa mfumo wa miniaturization na ufanisi mkubwa.
● Mzunguko wa kubadili nguvu ya ballast ya elektroni na adapta
VDS | RDS (on) (typ) | Id |
700V | 0.96Ω | 10a |