Λειτουργία βελτίωσης N καναλιών Power MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 10A 700V

1 Περιγραφή

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfet N-καναλιών, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά 

● Γρήγορη εναλλαγή

● Βελτιωμένη ικανότητα ESD

● Χαμηλή αντίσταση (Rdson≤1,1Ω) 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 34nC) 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τύπος: 6,2 pF) 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές 

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση συστήματος και υψηλότερη απόδοση. 

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας έρματος ηλεκτρονίων και προσαρμογέα

VDSS	RDS(ενεργό) (TYP)	ταυτότητα
700V	0,96Ω	10Α