N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 10A 700V D10N70 bis 252B

N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 10A 700V

1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten

● ESD verbesserte die Fähigkeit

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 1,1 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 34nc) 

● Niedrige Rückwärtsübertragungskapazität (Typ: 6.2PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● Stromschaltkreis von Elektronenballast und Adapter