N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 10 A 700 V D10N70 TO-252B

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 10 A 700 V

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● ESD-verbesserte Fähigkeit

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤1,1 Ω) 

● Geringe Gate-Ladung (typisch: 34 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 6,2 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet. 

● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
700V	0,96 Ω	10A