Modalità di potenziamento a canale N MOSFET di potenza 10A 700V D10N70 TO-252B

Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 10A 700V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida

● Funzionalità ESD migliorata

● Bassa resistenza (Rdson ≤ 1,1 Ω) 

● Carica gate bassa (tip.: 34nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 6,2 pF) 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni 

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore

VDSS	RDS(acceso)（TIPO)	ID
700 V	0,96Ω	10A