Modo de aprimoramento de canal n

Modo de aprimoramento de canal n MOSFET 10A 700V

1 Descrição

Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o padrão ROHS. 

2 recursos 

● Comutação rápida

● Capacidade aprimorada de ESD

● Baixa resistência (rdson≤1,1Ω) 

● Carga baixa do portão (Tip: 34NC) 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa (Tip: 6.2pf) 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 

3 aplicações 

● Utilizado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. 

● Circuito de troca de energia de reator de elétrons e adaptador