Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 10A 700V D10N70 TO-252B

Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 10A 700V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido

● Capacidad mejorada de ESD

● Baja resistencia (Rdson≤1.1Ω) 

● Carga de puerta baja (tipo: 34 nC) 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 6,2 pF) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia. 

● Circuito de interruptor de encendido del balastro electrónico y adaptador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
700V	0,96Ω	10A