Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B

Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 10A 700V

1 descripción

Estos VDMOSFET mejorados con el canal N, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejoran el rendimiento del cambio y mejora la energía de avalancha. Que concuerda con el estándar ROHS. 

2 características 

● Cambio rápido

● ESD mejoró la capacidad

● Baja de resistencia (rdson≤1.1Ω) 

● Baja carga de puerta (típ: 34 nc) 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 6.2pf) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia. 

● Circuito de interruptor de encendido de lastre de electrones y adaptador