وضع تحسين القناة N الطاقة MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B

وضع تعزيز القناة N الطاقة MOSFET 10A 700V

1 الوصف

يتم الحصول على vdmosfets المحسنة ذات القناة N هذه من خلال تقنية المستوى الذاتي المحاذاة والتي تقلل من فقدان التوصيل، وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي. والذي يتوافق مع معيار RoHS. 

2 الميزات 

● التبديل السريع

● تحسين القدرة على البيئة والتنمية المستدامة

● مقاومة منخفضة (Rdson≥1.1Ω) 

● شحن البوابة منخفض (النوع: 34nC) 

● سعات نقل عكسي منخفضة (النوع: 6.2pF) 

● اختبار طاقة الانهيار الجليدي بنبضة واحدة بنسبة 100% 

● اختبار ΔVDS بنسبة 100% 

3 تطبيقات 

● يستخدم في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة. 

● دائرة تبديل الطاقة للصابورة الإلكترونية والمحول

VDSS	RDS(على)(TYP)	بطاقة تعريف
700 فولت	0.96 أوم	10 أ