N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet 10A 700V D10N70 TO-252B

N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet 10A 700V

1 Açıklama

Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur. 

2 Özellik 

● Hızlı anahtarlama

● ESD Geliştirilmiş özellik

● Direnç düşük (RDSON≤1.1Ω) 

● Düşük kapı şarjı (tip: 34NC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 6.2pf) 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi