N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B

N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 10A 700V

1 Açıklama

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş

● ESD'nin geliştirilmiş kapasitesi

● Düşük direnç(Rdson≤1.1Ω) 

● Düşük geçit şarjı (Tip: 34nC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 6,2pF) 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi

VDSS	RDS(açık)（TYP)	İD
700V	0,96Ω	10A