ゲート
Jiangsu Donghai Semiconductor Co.、Ltd
あなたはここにいます: » 製品 » モスフェット » 400V-1500V N MOS » n-チャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B

読み込み

共有:
Facebook共有ボタン
Twitter共有ボタン
ライン共有ボタン
WeChat共有ボタン
LinkedIn共有ボタン
Pinterest共有ボタン
WhatsApp共有ボタン
Sharethis共有ボタン

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B

NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 10A 700V
可用性:
数量:

nチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 10A 700V


1説明

これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。 


2つの機能 

●高速スイッチング

●ESDは機能を改善しました

●抵抗が少ない(RDSON≤1.1Ω) 

●低ゲートチャージ(typ:34nc) 

●低い逆転送容量(typ:6.2pf) 

●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト 

●100%ΔVDSテスト 


3つのアプリケーション 

●システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用されます。 

●電子バラストとアダプターの電源スイッチ回路

VDSS  rds(on)(タイプ) id 
700V 0.96Ω 10a



前の: 
次: 
  • ニュースレターにサインアップしてください
  • 私たちのニュースレターにサインアップして、最新
    情報を受信トレイに直接入手する準備をしてください