porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 400V-1500V N MOS » Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B

ngarkim

Shpërndaje në:
butoni i ndarjes së facebook
butoni i ndarjes në Twitter
butoni i ndarjes së linjës
butoni i ndarjes së wechat
butoni i ndarjes së linkedin
butoni i ndarjes pinterest
butoni i ndarjes së whatsapp
Ndani këtë buton të ndarjes

Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B

Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 10A 700V
Disponueshmëria:
Sasia:

Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 10A 700V


1 Përshkrimi

Këto vdmosfet të zgjeruara me kanal N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-linjëzuar e cila redukton humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve. Që përputhet me standardin RoHS. 


2 Karakteristikat 

● Ndërrimi i shpejtë

● Aftësia e përmirësuar ESD

● Rezistencë e ulët (Rdson≤1,1Ω) 

● Ngarkesa e ulët e portës (Lloji: 34nC) 

● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Lloji: 6,2 pF) 

● Testi i energjisë së ortekëve me puls 100% të vetëm 

● Testi 100% ΔVDS 


3 Aplikacionet 

● Përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë. 

● Qarku i ndërprerësit të rrymës së çakëllit elektronik dhe përshtatësit

VDSS  RDS (aktiv) (TYP) ID 
700 V 0,96 Ω 10A



E mëparshme: 
Tjetër: 
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin