Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 10A 700V D10N70 TO-252B

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 10A 700V

1 Descriere

Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS. 

2 Caracteristici 

● Comutare rapidă

● Capacitate îmbunătățită ESD

● Rezistență scăzută (Rdson≤1,1Ω) 

● Încărcare scăzută de poartă (Tip: 34 nC) 

● Capacitate scăzute de transfer invers (Tip: 6,2 pF) 

● Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%. 

● Test 100% ΔVDS 

3 Aplicații 

● Folosit în diferite circuite de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare. 

● Circuitul comutatorului de alimentare al balastului electronic și al adaptorului

VDSS	RDS(activat)（TYP)	ID
700V	0,96Ω	10A