N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B

N-kanali täiustusrežiim Toide MOSFET 10A 700V

1 Kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid saadakse isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile. 

2 Omadused 

● Kiire ümberlülitamine

● ESD täiustatud võime

● Madal takistus (Rdson≤1,1Ω) 

● Värava madal laetus (tüüp: 34nC) 

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 6,2 pF) 

● 100% ühe impulsi laviini energia test 

● 100% ΔVDS test 

3 Rakendused 

● Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks. 

● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
700V	0,96Ω	10A