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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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100 V/1,5 mΩ/240 A N-MOSFET DSC018N10N TO-247

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
 
Disponibilité:
Quantité:

100 V/1,5 mΩ/240 A N-MOSFET


1 Descriptif


Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Faible résistance

● Faible charge de porte 

● Commutation rapide 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures

● Applications de commutation de puissance 

● Gestion de l'énergie pour les systèmes onduleurs

● Gestion de la batterie



VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
100V 1,5 mΩ 240A


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