100 V/1,5 mΩ/240 A N-MOSFET DSC018N10N TO-247

100 V/1,5 mΩ/240 A N-MOSFET

1 Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen 

● Energiemanagement für Wechselrichtersysteme

● Batteriemanagement

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	1,5 mΩ	240A