未命名(1)(8) (1)
ประตู
มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » สินค้า » มอสเฟต » 12V-300V ไม่มีมอส » 100V/1.5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247

กำลังโหลด

แบ่งปันไปที่:
ปุ่มแชร์เฟสบุ๊ค
ปุ่มแชร์ทวิตเตอร์
ปุ่มแชร์ไลน์
ปุ่มแชร์วีแชท
ปุ่มแชร์ของ LinkedIn
ปุ่มแชร์ Pinterest
ปุ่มแชร์ Whatsapp
แชร์ปุ่มแชร์นี้

100V/1.5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS
 
มีจำหน่าย:
ปริมาณ:
สอบถาม เพิ่มลงตะกร้า

  • DSC018N10N

  • WXDH

  • DSC018N10N

  • ถึง-247

  • Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf

  • 100V

  • 240A

100V/1.5mΩ/240A N-MOSFET


1 คำอธิบาย


มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูง ซึ่งให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและการชาร์จเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 


2 คุณสมบัติ 

● ความต้านทานต่ำ

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 


3 การใช้งาน

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน 

● การจัดการพลังงานสำหรับระบบอินเวอร์เตอร์

● การจัดการแบตเตอรี่



วีดีเอสเอส RDS (บน) (ประเภท) บัตรประจำตัวประชาชน
100V 1.5mΩ 240A


ดาวน์โหลด ข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ 60N10B76(1).pdf

ก่อนหน้า: 
ต่อไป: 
มอสเฟต ทรานซิสเตอร์มอสเฟตแบบ N Channel มอสเฟต 100V 247แพ็คเกจ MOSFET
  • มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
  • ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
  • เตรียมพร้อมสำหรับอนาคต
    สมัครรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับข้อมูลอัปเดตตรงถึงกล่องจดหมายของคุณ
    ส่ง
ลิขสิทธิ์© 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd เทคโนโลยีโดย leadong.com