8N65/F8N65

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 8 A 650 V

1 Descriptif

Ces vdmosfets améliorés à canal N en silicium sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit le

perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche. Ce qui est conforme à la norme RoHS.

2 Caractéristiques

● Commutation rapide

● Capacité améliorée ESD

● Faible résistance (Rdson≤1,4Ω)

● Faible charge de grille (type : 24 nC)

● Faibles capacités de transfert inverse (type : 5,5 pF)

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS

3 candidatures

● Utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une efficacité supérieure.

● Circuit de l'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
650V	1,2Ω	8A