8N65/F8N65

8A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu silikon N-kanallı geliştirilmiş vdmosfet'ler, kendi kendine hizalanan düzlemsel teknolojiyle elde edilir ve bu teknoloji,

İletim kaybı, anahtarlama performansını artırır ve çığ enerjisini artırır. RoHS standardına uygundur.

2 Özellikler

● Hızlı geçiş

● ESD'nin geliştirilmiş kapasitesi

● Düşük direnç (Rdson≤1,4Ω)

● Düşük geçit şarjı (Tip: 24nC)

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 5,5pF)

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.

● Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
650V	1.2Ω	8A