8N65/F8N65

8A 650V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET

1 Opis

Ti silicijevi N-kanalni izboljšani vdmosfeti so pridobljeni s samoporavnano planarno tehnologijo, ki zmanjša

izgubo prevodnosti, izboljša preklopno zmogljivost in poveča energijo plazu. Kar je v skladu s standardom RoHS.

2 Lastnosti

● Hitro preklapljanje

● Izboljšana zmogljivost ESD

● Nizek upor (Rdson≤1,4Ω)

● Nizek naboj vrat (tip: 24 nC)

● Nizka kapacitivnost povratnega prenosa (tip: 5,5 pF)

● 100 % preizkus energije plazovnega plazu z enim impulzom

● 100% ΔVDS test

3 Aplikacije

● Uporablja se v različnih preklopnih tokokrogih za miniaturizacijo sistema in večjo učinkovitost.

● Tokokrog stikala za napajanje adapterja in polnilnika.

VDSS	RDS (vklopljen) (TYP)	ID
650V	1,2Ω	8A