8N65/F8N65

8A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис

Ці кремнієві N-канальні покращені vdmosfet, отримані за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує

втрати провідності, покращують продуктивність перемикання та збільшують енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS.

2 Особливості

● Швидке перемикання

● Покращені можливості ESD

● Низький опір (Rdson≤1,4Ω)

● Низький заряд затвора (тип: 24nC)

● Низька ємність зворотного перенесення (тип: 5,5 пФ)

● 100% одноімпульсний тест на лавинну енергію

● 100% тест ΔVDS

3 Додатки

● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.

● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.

VDSS	RDS(увімкнено)(TYP)	ID
650В	1,2 Ом	8A