8N65/F8N65

8A 650V N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET

1 Opis

Ovi silicijski N-kanalni poboljšani vdmosfeti dobiveni su samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje

gubitak vodljivosti, poboljšati performanse prebacivanja i povećati energiju lavine. Što je u skladu s RoHS standardom.

2 Značajke

● Brzo prebacivanje

● ESD poboljšana sposobnost

● Nizak otpor (Rdson≤1,4Ω)

● Nizak naboj vrata (tip: 24 nC)

● Niski kapaciteti obrnutog prijenosa (tip: 5,5 pF)

● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa

● 100% ΔVDS test

3 Prijave

● Koristi se u različitim strujnim sklopovima za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost.

● Strujni krug adaptera i punjača.

VDSS	RDS(uključen)(TYP)	ID
650V	1,2Ω	8A