8N65/F8N65

8A 650V N-kanaal Verbeteringsmodus Krag MOSFET

1 Beskrywing

Hierdie silikon N-kanaal verbeterde vdmosfets, word verkry deur die self-belynde planêre tegnologie wat die

geleiding verlies, verbeter skakel prestasie en verbeter die stortvloed energie. Wat ooreenstem met die RoHS-standaard.

2 Kenmerke

● Vinnige oorskakeling

● ESD verbeterde vermoë

● Laag weerstand (Rdson≤1.4Ω)

● Lae heklading (tipe: 24nC)

● Lae omgekeerde oordragkapasitansies (tipe: 5.5pF)

● 100% enkelpuls stortvloed energie toets

● 100% ΔVDS-toets

3 Toepassings

● Word in verskeie kragskakelkringe gebruik vir stelselminiaturisering en hoër doeltreffendheid.

● Kragskakelaarkring van adapter en laaier.

VDSS	RDS(aan)(TIP)	ID
650V	1.2Ω	8A