8N65/F8N65

8A 650V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia

1 Opis

Te krzemowe vdmosfety wzmocnione kanałem N są uzyskiwane dzięki technologii samonastawnej planarnej, która zmniejsza

utrata przewodzenia, poprawa wydajności przełączania i zwiększenie energii lawinowej. Co jest zgodne ze standardem RoHS.

2 funkcje

● Szybkie przełączanie

● Lepsze możliwości ESD

● Niski opór (Rdson≤1,4Ω)

● Niski ładunek bramki (typ: 24nC)

● Niskie pojemności przesyłu zwrotnego (typ: 5,5 pF)

● 100% test energii lawinowej w pojedynczym impulsie

● 100% test ΔVDS

3 aplikacje

● Stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.

● Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki.

VDSS	RDS(wł.)(TYP)	ID
650 V	1,2 Ω	8A