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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Spécification du périphérique DHP50P04 (DFN56)(1).pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100V 60A Fichier MBR60100BCT.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200V 10A Document D92-02B pour 3PN.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 170A, 100V, DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 20A 500V F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A Fichier F20N50技术规格书REV1.1.pdf
Module demi-pont 75A 650V, module IGBT DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34mm 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
Diode de récupération rapide 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200V 60A Fichier MUR6020NCT pour REV1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 120A 40V DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40V 120A Spécification de l'appareil DH033N04.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 160A 30V DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Spécifications de l'appareil DH020N03P.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 21A 650V DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 180A, 40V, DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Fiche technique+V3.0.pdf
Module demi-pont 50A 650V, module IGBT DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 90A 150V DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Appareil DHS110N15 Spécification Rev.1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 15A 100V DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Spécifications de l'appareil DH850N10.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 100A 60V DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A DH066N06D_Fiche technique_V2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal P 18A 100V DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Spécification de l'appareil DH100P18 B79.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 47A 100V TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Spécifications de l'appareil DHS180N10L.pdf
Module demi-pont 150A 1200V DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
Module demi-pont 250A 1200V IGBTModule DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Spécification de l'appareil DH045N06.pdf

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