未命名(1)(8) (1)
πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα
Μοντέλο:
Πακέτο:
V:
ΕΝΑ:
ΕΠΙΛΕΓΜΕΝΕΣ ΓΡΑΜΜΕΣ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ:

Όλα τα Προϊόντα

Image Model Package V A φύλλου δεδομένων Στοιχεία Ερώτηση Προσθήκη στο καλάθι
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50Α Προδιαγραφές συσκευής DHP50P04(DFN56)(1).pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT ΤΟ-247 100V 60Α 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200V 10Α 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
170A 100V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 ΤΟ-263 100V 170Α DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 500V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20Α 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75A Μονάδα μισής γέφυρας 650V Μονάδα IGBT DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 χιλιοστά 650V 75Α DGA75H65M2T.pdf
Δίοδος γρήγορης ανάκτησης 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200V 60Α 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
120A 40V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 ΕΩΣ-220C 40V 120Α Προδιαγραφές συσκευής DH033N04.pdf
160A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160Α Προδιαγραφές συσκευής DH020N03P.pdf
21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W ΤΟ-247 650V 21Α DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
180A 40V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 ΕΩΣ-220C 40V 180Α Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
50A Μονάδα μισής γέφυρας 650V Μονάδα IGBT DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 χιλιοστά 650V 50Α DGA50H65M2T.pdf
90A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 150 V Power MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 ΕΩΣ-220C 150V 90Α Συσκευή DHS110N15 Specification Rev.1.0.pdf
15A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 100 V Power MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15Α Προδιαγραφές συσκευής DH850N10.pdf
100A 60V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 ΕΩΣ-220C 60V 100Α DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18Α Προδιαγραφές συσκευής DH100P18 B79.pdf
47A 100V N-κανάλι Βελτίωση Λειτουργίας Power MOSFET TO-220C DHS180N10L ΕΩΣ-220C 100V 47Α Προδιαγραφές συσκευής DHS180N10L.pdf
Μονάδα μισής γέφυρας 150A 1200V DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 χιλιοστά 1200V 150Α DGB150H120L2T(1).pdf
Μονάδα μισής γέφυρας 250A 1200V IGBTMmodule DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 χιλιοστά 1200V 250Α DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
Λειτουργία βελτίωσης N καναλιών Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 ΕΩΣ-220C 60V 145Α Προδιαγραφές συσκευής DH045N06.pdf

Βίντεο προϊόντος

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας
    Υποτάσσομαι
Πνευματικά δικαιώματα © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com