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CI regolatore di tensione a tre terminali L7824 TO-220M L7824 TO-220M 24 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N da 68 A 1200 V DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
Diodo barriera Schottky da 20 A 100 V MBR20100CT TO-220M MBR20100CT TO-220M 100 V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 60 A 20 V DH048N02B/DH048N02D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 170 A 100 V DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 20 A 500 V F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 75A 650V DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650 V 75A DGA75H65M2T.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200 V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Dispositivo DH033N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 160 A 30 V DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Dispositivo DH020N03P Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 21 A 650 V DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS021N04 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 40 V DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Scheda Tecnica+V3.0.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 50A 650V DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650 V 50A DGA50H65M2T.pdf
MOSFET di potenza DHS110N15 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 90 A 150 V DHS110N15 TO-220C 150 V 90A Specifiche del dispositivo DHS110N15 Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 15 A 100 V DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Specifiche del dispositivo DH850N10.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 25 A 100 V DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specifiche del dispositivo DH100P25.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 60 V DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 18 A 100 V DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza TO-220C in modalità potenziamento canale N da 47 A 100 V DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Specifiche del dispositivo DHS180N10L.pdf
Modulo mezzo ponte 150A 1200V DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200 V 150A DGB150H120L2T(1).pdf

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