Modulo IGBT Modulo IGBT da 75A 650V Modulo DGA75H65M2T 34MM

75A 650V Modulo a mezzo bridge

1 Descrizione 

Questi transistor bipolari a gate isolati hanno utilizzato una progettazione avanzata di trincea e tecnologia fieldstop, ha fornito un'eccellente velocità di V Cesat e commutazione, bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS. 

2 caratteristiche 

● Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo 

● Tensione di saturazione bassa: V CE (SAT) , tip = 2.0V @ I c = 75a e t j = 25 ° C 

● Capacità di valanga estremamente migliorata 

3 pplica  

 Saldatura 

 UPS 

 Inverter a tre leve 

 Amplificatore Drive Servo AC e DC