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Modulo IGBT modulo mezzo ponte 75A 650V DGA75H65M2T 34mm

Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano un eccellente VCEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
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  • DGA75H65M2T

  • WXDH

  • 34 mm

  • DGA75H65M2T.pdf

  • 650 V

  • 75A

75A 650V Modulo mezzo ponte

1 Descrizione 

Questi trans~!phoenix_var80_1!~ ~!phoenix_var80_2!~ 

2 Caratteristiche 

● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

● Bassa tensione di saturazione: V CE(sat) , tipica = 2,0 V @ I C = 75 A e T j = 25°C 

● Capacità valanghe estremamente migliorata 

3 Applicazioni​ 

Saldatura 

Gruppo di continuità 

Inverter a tre livelli 

Amplificatore servoazionamento CA e CC


Tipo VCE Circuito integrato VCEsat,Tj=25℃ Tjop Pacchetto
DGA75H65M2T 650 V 75A (Tj=100℃) 1,7 V (tip.) 175 ℃ 34MM


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