Modulo IGBT modulo mezzo ponte 75A 650V DGA75H65M2T 34mm

75A 650V Modulo mezzo ponte

1 Descrizione 

Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano eccellenti V CEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

● Bassa tensione di saturazione: V CE(sat) , tipica = 2,0 V @ I C = 75 A e T j = 25°C 

● Capacità valanghe estremamente migliorata 

3 Applicazioni​ 

 Saldatura 

 Gruppo di continuità 

 Inverter a tre livelli 

 Amplificatore servoazionamento CA e CC

Tipo	VCE	Circuito integrato	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pacchetto
DGA75H65M2T	650 V	75A (Tj=100℃)	1,7 V (tip.)	175 ℃	34MM