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75A 650V हाफ ब्रिज मॉड्यूल IGBT मॉड्यूल DGA75H65M2T 34mm

इन इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर में उन्नत ट्रेंच और फील्डस्टॉप प्रौद्योगिकी डिजाइन का उपयोग किया गया है, जो उत्कृष्ट वीसीसैट और स्विचिंग गति, कम गेट चार्ज प्रदान करता है। जो RoHS मानक के अनुरूप है.
उपलब्धता:
मात्रा:
  • DGA75H65M2T

  • डब्ल्यूएक्सडीएच

  • 34 मिमी

  • DGA75H65M2T.pdf

  • 650V

  • 75ए

75A 650V हाफ ब्रिज मॉड्यूल

1 विवरण 

इन इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर में उन्नत ट्रेंच और फील्डस्टॉप प्रौद्योगिकी डिजाइन का उपयोग किया गया, जो उत्कृष्ट वी सीसैट और स्विचिंग गति, कम गेट चार्ज प्रदान करता है। जो RoHS मानक के अनुरूप है. 

2 विशेषताएं 

● एफएस ट्रेंच प्रौद्योगिकी, सकारात्मक तापमान गुणांक 

● कम संतृप्ति वोल्टेज: वी सीई (सैट) , टाइप = 2.0 वी @ आई सी = 75 ए और टी जे = 25 डिग्री सेल्सियस 

● अत्यंत उन्नत हिमस्खलन क्षमता 

आवेदन3  

वेल्डिंग 

यूपीएस 

तीन-लीव इन्वर्टर 

एसी और डीसी सर्वो ड्राइव एम्पलीफायर


प्रकार वी सी इ मैं सी VCEsat,Tj=25℃ तजोप पैकेट
DGA75H65M2T 650V 75ए (टीजे=100℃) 1.7V (टाइप) 175℃ 34एमएम


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