75A 650V Half Bridge Modul IgBT Modul DGA75H65M2T 34 mm

75A 650 V polovičný most Modul

1 popis 

Tento izolovaný bipolárny tranzistor brány použil pokročilý dizajn technológie priekopy a technológie FieldStop, poskytol vynikajúcu rýchlosť V CESAT a rýchlosť prepínania, nízky náboj brány. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 

2 funkcie 

● Technológia výkopu FS, pozitívny koeficient teploty 

● Nízke nasýtenie napätie: V CE (SAT) , TYP = 2,0V @ I C = 75A a T J = 25 ° C 

● Mimoriadne vylepšená lavínová schopnosť 

3 Pplicity​ 

 Zváranie 

 UPS 

 Menič s tromi nohami 

 Zosilňovač diskov AC a DC Servo