75A 650V polumostni modul IGBT modul DGA75H65M2T 34 mm

75A 650V polumosni modul

1 Opis 

Ovi bipolarni tranzistor s izoliranim vratima koristio je napredni dizajn jarak i Fieldstop tehnologije, pružajući izvrstan V CEsat i brzinu prebacivanja, niski naboj vrata. Što je u skladu s RoHS standardom. 

2 Značajke 

● FS Trench Technology, pozitivni temperaturni koefic 

● Niski napon zasićenja: V CE(sat) , typ = 2,0 V @ I C =75 A i T j = 25°C 

● Ekstremno poboljšana sposobnost za lavine 

3 Primjene​ 

 Zavarivanje 

 UPS 

 Inverter s tri razine 

 AC i DC servo pojačalo

Tip	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paket
DGA75H65M2T	650V	75 A (Tj=100 ℃)	1,7 V (tipično)	175 ℃	34MM