75A 650 V: n puolisilta moduuli IGBT -moduuli DGA75H65M2T 34mm

75A 650 V Half Bridge -moduuli

1 Kuvaus 

Nämä eristetyt portin bipolaariset transistorit käyttivät edistynyttä kaivo- ja kenttästöteknologian suunnittelua, tarjosivat erinomaisen V Cesat- ja kytkentänopeuden, matalan portin varauksen. Joka sopii ROHS -standardiin. 

2 ominaisuutta 

● FS -kaivantotekniikka, positiivinen lämpötilakerroin 

● Matala kylläisyysjännite: V CE (SAT) , TYP = 2,0 V @ I C = 75A ja T J = 25 ° C 

● Erittäin parannettu lumivyörykyky 

3 Plpicition​ 

 Hitsaus 

 UPS 

 Kolmekoruttomittari 

 AC- ja DC Servo -vahvistin

Tyyppi	VCE	IC	Vcesat, tj = 25 ℃	Tjop	Paketti
DGA75H65M2T	650 V	75a (TJ = 100 ℃)	1,7 V (TYP)	175 ℃	34 mm