Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » IGBT-MODUULI » PIM » 75A 650V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA75H65M2T 34mm

Jaa:

75A 650V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA75H65M2T 34mm

Nämä eristetyt kaksinapaiset transistorit käyttivät edistynyttä kaivanto- ja Fieldstop-tekniikkaa, tarjoten erinomaisen VCEsat-toiminnon ja kytkentänopeuden, alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.

Saatavuus:

Määrä:



Tiedustella Lisää koriin

Malli:
DGA75H65M2T
Merkki:
LXDH
Paketti:
34 mm
Tietolomake:
DGA75H65M2T.pdf
V:
650V
V:
75A

Tuotteen kuvaus

75A 650V puolisiltamoduuli

1 Kuvaus

Nämä eristetyt kaksinapaiset transistorit käyttivät edistynyttä kaivaus- ja Fieldstop-tekniikkaa, tarjosivat erinomaisen V CEsatin ja kytkentänopeuden, alhaisen portin latauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.

2 Ominaisuudet

● FS Trench Technology, positiivinen lämpötilakerroin

● Matala kyllästysjännite: V CE(sat) , tyyppi = 2,0 V @ I C =75 A ja T j = 25 °C

● Erittäin parannettu lumivyörykyky

A sovellukset3

 Hitsaus

 UPS

 Kolmiportainen invertteri

 AC- ja DC-servokäyttövahvistin

Tyyppi	VCE	Ic	VCEsat, Tj = 25 ℃	Tjop	Paketti
DGA75H65M2T	650V	75 A (Tj = 100 ℃)	1,7 V (tyyppi)	175℃	34 mm

Edellinen:

Seuraavaksi:

IGBT-moduuli

Tilaa uutiskirjeemme
Valmistaudu tulevaan
tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi

Lähetä

TUOTTEEMME
- MOSFET
- DIODI
- IGBT
- IGBT-MODUULI
- SIC
- Jännitteensäädin IC
LETORISTA
LISÄÄ LINKKEJÄ
OTA YHTEYTTÄ

Sähköposti:

sales@wxdh.com .cn

Lankapuhelin:

+86-510-85307789
SOSIAALISET VERKOT