қақпа
Цзянсу Донгай жартылайдюсторы Co., Ltd
Сіз мындасыз: Үй » Құралдар » IGBT модулі » Аспап » 75A 650V модулі IGBT модулі DGBT модулі DGA75H65M2T 34 мм

тиеу

Бөлісу:
Facebook-ті бөлісу түймесі
Twitter бөлісу түймесі
Жолды бөлісу түймесі
WeChat бөлісу түймесі
LinkedIn бөлісу түймесі
Pinterest бөлісу түймесі
WhatsApp бөлісу түймесі
Sharethis бөлісу түймесі

75A 650V көпір модулі IGBT модулі DGA75H65M2T 34 мм

Бұл оқшауланған қақпаның биполярлы транзисторы Advanced Transporth және FormeStop технологиясын дизайнды қолданды, өте жақсы, ал коммутация жылдамдығы, төмен қақпалық зарядталған. ROHS стандартымен қандай үйлеседі.
Қол жетімділігі:
саны:
  • DGA75H65M2T

  • Wxdh

  • 34 мм

  • Dga75h65m2t.pdf

  • 650в

  • 75А

75A 650V ЖАРЫҚ ЖАРЫҚ МОДУЛЬ

1 сипаттама 

Бұл оқшауланған қақпаның биполярлы транзисторы Advanced Transister Advanced Trience және FormeStop технологиясының дизайнын қолданды, өте жақсы v CESAT және коммутация жылдамдығы, төмен қақпасы заряды. ROHS стандартымен қандай үйлеседі. 

2 мүмкіндіктер 

● FS траншеясы технологиясы, оң температура коэффициенті 

● Төмен қанықтылық кернеуі: v CE (SAT) , TYP = 2.0V @ I c = 75A және t j = 25 ° C 

● Көтерілген көшкіннің қабілеттілігі 

3 PPLLIS​ 

дәнекерлеу 

UPS 

Үш-левті инвертор 

AC және DC Servo Drive күшейткіші


Басу Ба даржак Мен түсінемін ВКСААТ, TJ = 25 ℃ Тәж Жіберілген жүк
DGA75H65M2T 650в 75А (tj = 100 ℃) 1.7V (TYP) 175 ℃ 34 мм


Алдыңғы: 
Келесі: 
  • Біздің ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз
  • дайын болыңыз
    Жаңалықтарды кіріс жәшігіне алу үшін біздің ақпараттық бюллетеньге қосылуға