brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Moduł IGBT » Pim » 75A 650V Half Bridge moduł IGBT moduł DGA75H65M2T 34 mm

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

75A 650V Moduł mostu IGBT DGA75H65M2T 34 mm

Te izolowana bipolarna tranzystor zastosowała zaawansowany projekt technologii wykopu i fieldstop, zapewniły doskonałą prędkość VCESAT i przełączanie, niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs.
Dostępność:
Ilość:
  • DGA75H65M2T

  • Wxdh

  • 34 mm

  • DGA75H65M2T.PDF

  • 650 V.

  • 75a

75A 650V Half Bridge Moduł

1 Opis 

Te izolowana bipolarna tranzystor zastosowała zaawansowany projekt technologii wykopu i fieldstop, zapewniły doskonałą prędkość i szybkość przełączania, niskie ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 

2 funkcje 

● Technologia wykopów FS, dodatni współczynnik temperatury 

● Niskie napięcie nasycenia: V CE (sat) , typ = 2,0 V @ i c = 75a i t j = 25 ° C 

● Niezwykle ulepszone możliwości lawinowe 

3 Pplic Ations 

Spawanie 

UPS 

Trójznogi falownika 

Wzmacniacz napędu AC i DC Servo


Typ Vce Ic VCESAT, TJ = 25 ℃ Tjop Pakiet
DGA75H65M2T 650 V. 75a (tj = 100 ℃) 1,7 V (typ) 175 ℃ 34 mm


Poprzedni: 
Następny: 
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej