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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Module demi-pont 75A 650V, module IGBT DGA75H65M2T 34mm

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et Fieldstop, offrant un excellent VCEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :
  • DGA75H65M2T

  • WXDH

  • 34mm

  • DGA75H65M2T.pdf

  • 650V

  • 75A

75A 650V Module demi-pont

1 Descriptif 

Ces transistors bipolaires à grille isolée utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée et de Fieldstop, offrant un excellent V CEsat et une excellente vitesse de commutation, une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif 

● Faible tension de saturation : V CE(sat) , typ = 2,0 V @ I C =75A et T j = 25°C 

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée 

3 Applications​ 

Soudage 

UPS 

Inverseur à trois niveaux 

Amplificateur de servomoteur AC et DC


Taper VCE IC VCEsat,Tj=25℃ Tjop Emballer
DGA75H65M2T 650V 75A (Tj=100℃) 1,7 V (type) 175 ℃ 34MM


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