75A 650V модуль модуля IGBT модуль IGBT DGA75H65M2T 34 мм

В этих изолированных биполярных транзисторах затвора использовались передовые траншеи и технологии полевого стопа, обеспечивали отличную скорость VCESAT и скорость переключения, низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.

Доступность:

количество:



Запросить Добавить в корзину

Модель:
DGA75H65M2T
Бренд:
WXDH
Упаковка:
34 мм
Техническая спецификация:
DGA75H65M2T.PDF
V:
650 В.
A:
75а

Описание продукта

75A 650V модуль мостового моста

1 Описание

В этом изолированном биполярном транзисторе затвора использовались передовая технология траншеи и полевого стопа, обеспечивая отличную V -сезон и скорость переключения, низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.

2 функции

● Технология FS Trench, положительный коэффициент температуры

● Низкое напряжение насыщения: v ce (sat) , typ = 2,0v @ i c = 75a и t j = 25 ° C

● Чрезвычайно улучшенные возможности лавины

 Сварка

 UPS

 Трехлетний инвертор

 Усилитель сервопривод AC и DC Servo Drive

Тип	Vce	IC	VCESAT, TJ = 25 ℃	TJOP	Упаковка
DGA75H65M2T	650 В.	75a (TJ = 100 ℃)	1,7 В (тип)	175 ℃	34 мм

Модуль IGBT

Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
Будьте готовы к будущему,
подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик

Представлять на рассмотрение

Наши продукты
О Letor
Больше ссылок
СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ

Электронная почта:

sales@wxdh.com. CN

Стационарная линия:

+86-510-85307789
Социальные сети