Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » БТИЗ-МОДУЛЬ » ПИМ ~!phoenix_var54_4!~ ~!phoenix_var54_5!~

загрузка

Поделиться:
кнопка поделиться Facebook
кнопка поделиться в твиттере
кнопка совместного использования линии
кнопка поделиться в чате
кнопка поделиться в linkedin
кнопка «Поделиться» в Pinterest
кнопка поделиться WhatsApp
поделиться этой кнопкой обмена

75А 650В Полумостовой модуль IGBT-модуль DGA75H65M2T 34 мм

В этих биполярных транзисторах с изолированным затвором использованы передовые технологии траншеи и Fieldstop, обеспечивающие превосходное VCEsat и скорость переключения, низкий заряд затвора. Что соответствует стандарту RoHS.
Наличие:
Количество:
Запросить Добавить в корзину

  • ДГА75Х65М2Т

  • ШХДХ

  • 34 мм

  • ДГА75Х65М2Т.pdf

  • 650В

  • 75А

75 А, 650 В Полумостовой модуль

1 Описание 

В этих биполярных транзисторах с изолированным затвором использованы передовые технологии траншеи и Fieldstop, обеспечивающие превосходное напряжение V CEsat и скорость переключения, низкий заряд затвора. Что соответствует стандарту RoHS. 

2 особенности 

● Технология FS Trench, положительный температурный коэффициент. 

● Низкое напряжение насыщения: В CE(sat) , тип. = 2,0 В при I C = 75 А и T j = 25°C. 

● Чрезвычайно расширенные лавинные возможности. 

3 приложения​ 

Сварка 

ИБП 

Трехуровневый инвертор 

Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока


Тип ВЦЭ IC VCEsat,Tj=25℃ Тьоп Упаковка
ДГА75Х65М2Т 650В 75А (Тдж=100℃) 1,7 В (типичное) 175℃ 34 мм


Предыдущий: 
Следующий: 
БТИЗ-модуль
  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com