Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MODUL IGBT » PIM » 75A 650V Modul semi-punte Modul IGBT DGA75H65M2T 34mm

încărcare

Distribuie la:
butonul de partajare pe facebook
butonul de partajare pe Twitter
butonul de partajare a liniei
butonul de partajare wechat
butonul de partajare linkedin
butonul de partajare pe pinterest
butonul de partajare whatsapp
partajați acest buton de partajare

75A 650V Modul semi-punte Modul IGBT DGA75H65M2T 34mm

Aceste tranzistoare bipolare cu poartă izolată au folosit un design avansat de tehnologie de șanț și Fieldstop, au oferit VCEsat și viteză de comutare excelente, încărcare scăzută a porții. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
Disponibilitate:
Cantitate:
  • DGA75H65M2T

  • WXDH

  • 34 mm

  • DGA75H65M2T.pdf

  • 650V

  • 75A

75A 650V Modul semi-punte

1 Descriere 

Aceste tranzistoare bipolare cu poartă izolată au folosit un design avansat de tehnologie de șanț și Fieldstop, au oferit V CEsat excelent și viteză de comutare, încărcare scăzută a porții. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS. 

2 Caracteristici 

● Tehnologia FS Trench, coeficient de temperatură pozitiv 

● Tensiune de saturație scăzută: V CE(sat) , typ = 2.0V @ I C =75A și T j = 25°C 

● Capacitate de avalanșă extrem de îmbunătățită 

3 Aplicații​ 

Sudarea 

UPS 

Invertor cu trei trepte 

Servoamplificator AC și DC


Tip VCE IC VCEsat,Tj=25℃ Tjop Pachet
DGA75H65M2T 650V 75A (Tj=100℃) 1,7 V (tip) 175℃ 34MM


Anterior: 
Următorul: 
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail