75A 650V نصف جسر وحدة IGBT وحدة DGA75H65M2T 34mm

75A 650V وحدة نصف الجسر

1 الوصف 

يستخدم الترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة تصميمًا متطورًا لتكنولوجيا الخندق و Fieldstop، مما يوفر سرعة V CEsat ممتازة وسرعة تبديل وشحن بوابة منخفض. والذي يتوافق مع معيار RoHS. 

2 الميزات 

● تقنية الخندق FS، معامل درجة الحرارة الإيجابي 

● جهد تشبع منخفض: V CE(sat) ، typ = 2.0V @ I C = 75A وT j = 25 درجة مئوية 

● القدرة على الانهيارات الجليدية المحسنة للغاية 

3 العامةالإجراءات  

 اللحام 

 UPS 

 انفرتر ثلاثي المستويات 

 مضخم محرك سيرفو يعمل بالتيار المتردد والتيار المستمر

يكتب	VCE	جيم	VCEsat,Tj=25°C	تجوب	طَرد
DGA75H65M2T	650 فولت	75 أمبير (تي جي = 100 درجة مئوية)	1.7 فولت (الطباع)	175 درجة مئوية	34 مللي متر