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Módulo IGBT de meia ponte 75A 650V módulo DGA75H65M2T 34mm

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Módulo IGBT de meia ponte 75A 650V módulo DGA75H65M2T 34mm

Esses transistores bipolares de porta isolada usaram design avançado de tecnologia de trincheira e Fieldstop, forneceram excelente VCEsat e velocidade de comutação, baixa carga de porta. O que está de acordo com o padrão RoHS.

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Modelo:
DGA75H65M2T
Marca:
WXDH
Pacote:
34mm
Ficha de dados:
DGA75H65M2T.pdf
V:
650 V
UM:
75A

Descrição do produto

75A 650V Módulo meia ponte

1 Descrição

Esses transistores bipolares de porta isolada usaram design avançado de tecnologia de trincheira e Fieldstop, forneceram excelente V CEsat e velocidade de comutação, baixa carga de porta. O que está de acordo com o padrão RoHS.

2 recursos

● Tecnologia FS Trench, coeficiente de temperatura positivo

● Baixa tensão de saturação: V CE(sat) , typ = 2,0V @ I C =75A e T j = 25°C

● Capacidade de avalanche extremamente aprimorada

3 Aplicações

 Soldagem

 UPS

 Inversor de três níveis

 Amplificador de servo acionamento CA e CC

Tipo	VCE	Eu	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pacote
DGA75H65M2T	650 V	75A (Tj=100°C)	1,7 V (tipo)	175°C	34MM

Módulo IGBT

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