未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Laitteen DHP50P04 Specification(DFN56)(1).pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
170 A 100 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 500V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
75A 650V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
Pikapalautusdiodi 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
120A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 -220C 40V 120A Laite DH033N04 Specification.pdf
160A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Laite DH020N03P Specification.pdf
21A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
180A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 -220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
50A 650V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 -220C 150V 90A Laite DHS110N15 Specification Rev.1.0.pdf
15A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Laite DH850N10 Specification.pdf
100A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 -220C 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Laite DH100P18 B79 Specification.pdf
47A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET TO-220C DHS180N10L -220C 100V 47A Laitteen DHS180N10L Specification.pdf
150A 1200V puolisiltamoduuli DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V puolisiltamoduuli IGBTMmoduli DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 -220C 60V 145A Laite DH045N06 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com