未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
Valda produktlinjer:

Alla produkter

Bildmodellpaket v Datablad korgen a till beskriver förfrågan Lägg i
10A 700V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700V 10A 英文版 F10N70 技术规格书 REV1.0.PDF
13A 500V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 13N50 TO-220C 13n50 TO-220C 500V 13a 英文版 13n50 技术规格书 .pdf
N-kanal förbättringsläge Power MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 TO-252B 500V 8a 英文版 D8N50 技术规格书 REV1.1.PDF
41A 650V N-kanal Sic Power MOSFET DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 Till 247 650V 41a DCC060M65G2 & DCCF060M65G2_DATASHEET_V1.0.PDF
5A 1200V SIC Schottky Barrier Diode DCD05D120G3
14A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650V 14a 英文版 F14N65 技术规格书 AY3.PDF
12A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12a 英文版 F12N65 技术规格书 REV1.0.PDF
25A 650V SIC Schottky Barrier Diode DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 10A 600V 10N60 10n60
5A 500V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 5N50 5n50
120A 1200V N-kanal Sic Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 Till 247 1200V 120A DCC016M120G2 & DCCF016M120G2_DATASHEET_V1.0.PDF
25A 1700V SIC Schottky Barrier Diode DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700v 25a Enhet DCCT25D170G1 Specifikation.pdf
20A 60V Låg VF Schottky Barrier Diode HMBRD20R60 TO-252B HMBRD20R60 TO-252B 60V 20a 英文版 HMBRD20R60 技术规格书 TO-252B-REV-1.1.PDF
180A 60V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06 & DHS015N06E+Datablad+Rev.1.0.pdf
4A 600V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版 B4N60 技术规格书 .pdf
2A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET B2N65 B2n65 TO-251B 650V 2A 英文版 B2N65 技术规格书 .pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 Till-263 500V 13a 英文版 E13N50 技术规格书 .pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650V 5A 英文版 D5N65-XAD 技术规格书 .pdf
7A 700V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET D7N70 TO-252B D7n70 TO-252B 700V 7a 英文版 d7n70 技术规格书 .pdf
5A 650V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET B5N65 TO-251B B5n65 TO-251B 650V 5A 英文版 B5N65 技术规格书 MAX.PDF

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com