未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » SIC » 650V-1700V SIC DIOD » 68A 1200V N-kanal SIC Power MOSFET

belastning

Dela till:
Facebook delningsknapp
twitter delningsknapp
linjedelningsknapp
wechat delningsknapp
linkedin delningsknapp
pinterest delningsknapp
whatsapp delningsknapp
dela den här delningsknappen

68A 1200V N-kanal SIC Power MOSFET

Denna produktfamilj erbjuder toppmodern prestanda. Den är designad för högfrekvensapplikationer där hög effektivitet och hög tillförlitlighet krävs.
Tillgänglighet:
Kvantitet:
Fråga Lägg i varukorgen

  • DCC040M120A2/ DCCF040M120A2

  • WXDH

68A 1200V N-kanal SIC Power MOSFET


1 Beskrivning 

Denna produktfamilj erbjuder toppmodern prestanda. Den är designad för högfrekvensapplikationer där hög effektivitet och hög tillförlitlighet krävs. 


2 funktioner 

● Högre systemeffektivitet

● Minskade kylningsk 

● Ökad effekttäthet

● Ökad systemväxlingsfrekvens


3 Applikationer

● Strömförsörjning. 

● Högspännings DC/DC-omvandlare. 

● Motordrivningar. 

● Switch Mode Power Supplies 

● Pulsed Power-applikationer


VBRM RDS(på) (TYP) ID
1200V 40 mΩ 68A


Tidigare: 
Nästa: 
SiC Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com