Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » SIC » DIODA SIC 650V-1700V » MOSFET de putere SIC cu canal N de 68 A 1200 V

încărcare

Distribuie la:
butonul de partajare pe facebook
butonul de partajare pe Twitter
butonul de partajare a liniei
butonul de partajare wechat
butonul de partajare linkedin
butonul de partajare pe pinterest
butonul de partajare whatsapp
partajați acest buton de partajare

MOSFET de putere SIC 68A 1200V N-canal

Această familie de produse oferă performanțe de ultimă oră. Este proiectat pentru aplicații de înaltă frecvență în care sunt necesare eficiență ridicată și fiabilitate ridicată.
Disponibilitate:
Cantitate:
  • DCC040M120A2/ DCCF040M120A2

  • WXDH

MOSFET de putere SIC 68A 1200V N-canal


1 Descriere 

Această familie de produse oferă performanțe de ultimă oră. Este proiectat pentru aplicații de înaltă frecvență în care sunt necesare eficiență ridicată și fiabilitate ridicată. 


2 Caracteristici 

● Eficiență mai mare a sistemului

● Cerințe de răcire reduse 

● Densitate de putere crescută

● Creșterea frecvenței de comutare a sistemului


3 Aplicații

● Surse de alimentare. 

● Convertoare DC/DC de înaltă tensiune. 

● Acționări cu motor. 

● Surse de alimentare cu comutare 

● Aplicații de putere pulsată


VBRM RDS(activat) (TYP) ID
1200V 40mΩ 68A


Anterior: 
Următorul: 
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail