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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Especificação do dispositivo DHP50P04 (DFN56) (1).pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT PARA-247 100 V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200 V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
170A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 PARA-263 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
Módulo IGBT de meia ponte 75A 650V módulo DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34mm 650 V 75A DGA75H65M2T.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200 V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
120A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 PARA-220C 40V 120A Especificação do dispositivo DH033N04.pdf
160A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Especificação do dispositivo DH020N03P.pdf
21A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W PARA-247 650 V 21A DHSJ21N65W_Folha de dados_V1.0.pdf
180A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 PARA-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Folha de dados+V3.0.pdf
Módulo IGBT de meia ponte 50A 650V módulo DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34mm 650 V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 PARA-220C 150 V 90A Especificação do dispositivo DHS110N15 Rev.1.0.pdf
15A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Especificação do dispositivo DH850N10.pdf
100A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 PARA-220C 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Especificação do dispositivo DH100P18 B79.pdf
47A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET TO-220C DHS180N10L PARA-220C 100 V 47A Especificação do dispositivo DHS180N10L.pdf
Módulo meia ponte 150A 1200V DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62mm 1200 V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V módulo meia ponte IGBTModule DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62mm 1200 V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
 Potência do modo de aprimoramento de canal N MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 PARA-220C 60V 145A Especificação do dispositivo DH045N06.pdf

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