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Regulador de tensão de três terminais IC L7824 TO-220M L7824 PARA-220M 24 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
68A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-220M MBR20100CT PARA-220M 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 60A 20V DH048N02B/DH048N02D
170A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 PARA-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
Módulo IGBT de meia ponte 75A 650V módulo DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34mm 650 V 75A DGA75H65M2T.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT TO-3PN 200 V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
120A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 PARA-220C 40V 120A Especificação do dispositivo DH033N04.pdf
160A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Especificação do dispositivo DH020N03P.pdf
21A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W PARA-247 650 V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
180A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 PARA-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Folha de dados+V3.0.pdf
Módulo IGBT de meia ponte 50A 650V módulo DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34mm 650 V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 PARA-220C 150 V 90A Especificação do dispositivo DHS110N15 Rev.1.0.pdf
15A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Especificação do dispositivo DH850N10.pdf
25A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Especificação do dispositivo DH100P25.pdf
100A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 PARA-220C 60 V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Especificação do dispositivo DH100P18 B79.pdf
47A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET TO-220C DHS180N10L PARA-220C 100V 47A Especificação do dispositivo DHS180N10L.pdf
Módulo meia ponte 150A 1200V DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62mm 1200 V 150A DGB150H120L2T(1).pdf

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