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7A 800V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650 V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
120A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 PARA-247 1200 V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 25A 1700V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Especificação do dispositivo DCCT25D170G1.pdf
40A 200V SchottkyBarrierDiode MBR40200CT TO-3PN MBR40200CT TO-3PN 200 V 40A 英文版MBR40200CT技术规格书3PN.pdf
F8N70
Diodo de recuperação rápida 30A 600V MUR3060 TO-220-2L MUR3060 TO-220C-2L 600 V 30A 英文版 MUR3060 技术规格书.pdf
Diodo de recuperação rápida 80A 300V MUR80FU30DCT TO-3PN MUR80FU30DCT TO-3PN 300 V 80A 英文版MUR80FU30DCT技术规格书.pdf
10N65/F10N65/I10N65
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N PARA-247 100V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
transistor bipolar isolado trinchstop da porta de 40A 1200V DGC40H120M2 TO-247 DGC40H120M2 PARA-247 1200 V 40A DGC40H120M2 - folha de dados.pdf
100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A PORTÁGIO DSU035N10N3A PEDÁGIO 100V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
85A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
DGF25F65M
100A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS031N07P DFN5 * 6 DHS031N07P DFN5X6 68 V 100A Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 PARA-252B 700 V 10A 英文版D10N70技术规格书REV1.0.pdf
12N65/F12N65
DHD10N65
Diodo de recuperação rápida 15A 600V MUR1560 TO-220-2L MUR1560 TO-220-2L 600 V 15A 英文版MUR1560技术规格书(1).pdf
Diodo de recuperação rápida 10A 400V MUR1040CT TO-220C MUR1040CT TO-220C 400 V 10A 英文版MUR1040CT技术规格书.pdf

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